200V P-Channel MOSFET

General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

文件：632.86 Kbytes 页数：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQB12P20 / FQI12P20 200V P-Channel MOSFET

文件：1.01973 Mbytes 页数：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

200V P-Channel MOSFET

文件：1.01973 Mbytes 页数：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-200 V，-11.5 A，470 mΩ，D2PAK

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •-11.5 A、-200 V、RDS(on)= 470 mΩ（最大值），需 VGS = -10 V、ID = -5.75 A栅极电荷低（典型值：31nC)\n•低 Crss（典型值30pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=-11.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.47Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：287.43 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

200V P-Channel MOSFET

文件：1.01973 Mbytes 页数：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FQB12P20 / FQI12P20 200V P-Channel MOSFET

文件：1.01973 Mbytes 页数：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司