FQB12P20中文资料功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-200 V,-11.5 A,470 mΩ,D2PAK数据手册ONSEMI规格书
FQB12P20规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•-11.5 A、-200 V、RDS(on)= 470 mΩ(最大值),需 VGS = -10 V、ID = -5.75 A栅极电荷低(典型值:31nC)
•低 Crss(典型值30pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS Compliant
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
:FQB12P20
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-200
- VGS Max (V)
:±30
- VGS(th) Max (V)
:-5
- ID Max (A)
:-11.5
- PD Max (W)
:120
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:470
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:31
- Ciss Typ (pF)
:920
- Package Type
:D2PAK-3/TO-263-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO263 |
1709 |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-263(D2PAK) |
90000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
SOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
询价 | |||
FAIRC |
2023+ |
TO-263(D2PAK |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
17+ |
TO-263(D2PAK) |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
25+ |
7209 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||||
FAIRCHILDSEM |
2025+ |
TO-263-3 |
3577 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO263 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 |