FQB12P20中文资料功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-200 V，-11.5 A，470 mΩ，D2PAK数据手册ONSEMI规格书
FQB12P20规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•-11.5 A、-200 V、RDS(on)= 470 mΩ（最大值），需 VGS = -10 V、ID = -5.75 A栅极电荷低（典型值：31nC)
•低 Crss（典型值30pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS Compliant
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQB12P20
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：-5
- ID Max (A)
：-11.5
- PD Max (W)
：120
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：470
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：31
- Ciss Typ (pF)
：920
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-263 |
18500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO263 |
3200 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-263 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-263(D2PAK) |
90000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON |
25+ |
TO-263 |
15000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO263 |
37336 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FSC |
25+ |
TO263 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 |
