FQB12P20数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQB12P20规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•-11.5 A、-200 V、RDS(on)= 470 mΩ（最大值），需 VGS = -10 V、ID = -5.75 A栅极电荷低（典型值：31nC)
•低 Crss（典型值30pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS Compliant
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQB12P20
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：-5
- ID Max (A)
：-11.5
- PD Max (W)
：120
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：470
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：31
- Ciss Typ (pF)
：920
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
2324+ |
NA |
78920 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
9600 |
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询价 | ||
FSC |
24+ |
TO-263 |
20000 |
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询价 | ||
ON |
25+ |
TO-263 |
15000 |
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询价 | ||
ON |
新年份 |
NA |
12000 |
原装正品现货,可出样品可开税票 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO263 |
18922 |
原装正品现货 |
询价 | ||
FAICHILD |
24+ |
TO263 |
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仙童 |
06+ |
TO-263 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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询价 |
