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FQB11P06数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQB11P06

功能描述

功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-60 V,-11.4 A,175 mΩ,D2PAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:40:00

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FQB11P06规格书详情

描述 Description

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性 Features

•-11.4A, -60V, RDS(on)=175mΩ(最大值)@VGS = -10 V, ID = -5.7A
•低栅极电荷(典型值13nC)
•低 Crss(典型值45pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"

应用 Application

• 传动系

技术参数

  • 制造商编号

    :FQB11P06

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-60

  • VGS Max (V)

    :±25

  • VGS(th) Max (V)

    :-4

  • ID Max (A)

    :-11.4

  • PD Max (W)

    :53

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :175

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :13

  • Ciss Typ (pF)

    :420

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

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