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FQB10N50CFTM数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQB10N50CFTM规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•10 A、500 V、RDS(on) = 610 mΩ（最大值）（VGS = 10 V、ID = 5 A）栅极电荷低（典型值： 45 nC）
•低 Crss（典型值 17.5 pF）
•100%经过雪崩击穿测试
•快速恢复体二极管
•Fast recovery body diode
应用 Application
• Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts
技术参数
- 制造商编号
：FQB10N50CFTM
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：500
- VGS Max (V)
：4
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：10
- PD Max (W)
：143
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：610
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：45
- Ciss Typ (pF)
：1660
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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TO-263 |
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