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FQB10N50CFTM中文资料N 沟道 QFET® FRFET® MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FQB10N50CFTM

功能描述

N 沟道 QFET® FRFET® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:16:00

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FQB10N50CFTM规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

特性 Features

•10 A、500 V、RDS(on) = 610 mΩ(最大值)(VGS = 10 V、ID = 5 A)栅极电荷低(典型值: 45 nC)
•低 Crss(典型值 17.5 pF)
•100%经过雪崩击穿测试
•快速恢复体二极管
•Fast recovery body diode

应用 Application

• Switched Mode Power Supplies
• Active Power Factor correction (PFC)
• Electronic Lamp Ballasts

技术参数

  • 制造商编号

    :FQB10N50CFTM

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :500

  • VGS Max (V)

    :4

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :10

  • PD Max (W)

    :143

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :610

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :45

  • Ciss Typ (pF)

    :1660

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

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