N 沟道 QFET® FRFET® MOSFET

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •10 A、500 V、RDS(on) = 610 mΩ（最大值）（VGS = 10 V、ID = 5 A）栅极电荷低（典型值： 45 nC）\n•低 Crss（典型值 17.5 pF）\n•100%经过雪崩击穿测试\n•快速恢复体二极管\n•Fast recovery body diode;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel QFETR FRFETR MOSFET500 V, 10 A, 610 m

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FAIRCHILD

仙童半导体

500V N-Channel MOSFET

Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high a

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FAIRCHILD

仙童半导体

500V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability

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FAIRCHILD

仙童半导体

500V N-Channel MOSFET Improved dv/dt capability

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仙童半导体