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FQB12P20TM	文件：287.43 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=-11.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.47Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：287.43 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQB12P20TM	文件：1.01973 Mbytes Page：9 Pages	FQB12P20 / FQI12P20 200V P-Channel MOSFET 文件：1.01973 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQI12P20	文件：632.86 Kbytes Page：9 Pages	200V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：632.86 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQI12P20	文件：1.01973 Mbytes Page：9 Pages	FQB12P20 / FQI12P20 200V P-Channel MOSFET 文件：1.01973 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQI12P20	文件：1.01973 Mbytes Page：9 Pages	200V P-Channel MOSFET 文件：1.01973 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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深圳市芯球通科技有限公司	FQB12P20TM	ON(安森美)	23+	TO-263(D2PAK)	9137	公司只做原装正品,假一赔十	询价
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更多FQB12P20TM供应商更新时间2026-2-5 11:17:00