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FQD30N06TM	文件：763.26 Kbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) 文件：763.26 Kbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
FQD30N06TM	文件：1.19965 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 60 V, 22.7 A, 45 m廓文件：1.19965 Mbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQI30N06	文件：663.34 Kbytes Page：9 Pages	60V N-Channel MOSFET 文件：663.34 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQP30N06	文件：623.87 Kbytes Page：8 Pages	60V LOGIC N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：623.87 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQP30N06	文件：660.21 Kbytes Page：8 Pages	60V N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：660.21 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

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