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FQD5N15TM	文件：846.6 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 150 V, 4.3 A, 800 m廓 Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhighav	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQD5N15TM	文件：659.87 Kbytes Page：5 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS=200V,ID=8A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FQI5N15	文件：765.37 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET Features •4.5A,500V,RDS(on)=1.8Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical13nC) •LowCrss(typical8.5pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP5N15	文件：717.93 Kbytes Page：8 Pages	150VN-CHANNELMOSFET 150VN-CHANNELMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQPF5N15	文件：748.45 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproductusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU5N15	文件：750.2 Kbytes Page：9 Pages	150VN-ChannelMOSFET 150VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU5N15	文件：329.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSMU5N15	文件：1.36945 Mbytes Page：8 Pages	150VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SSM5N15FE	文件：150.04 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplicationsAnalogSwitchApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
SSM5N15FE	文件：176.25 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
FQD5N15TM
功能描述：
MOSFET 150V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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