1000V N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，1000 V，8.0 A，1.45 Ω，TO-247

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •8A，1000V，RDS(on) = 1.45Ω ,VGS = 10 V\n•低栅极电荷（典型值53nC）\n•低Crss（典型值16pF）\n•快速开关\n•100% 经过雪崩击穿测试;

ONSEMI

安森美半导体

IXGA8N100

Features • International standard packages JEDEC TO-220AB and TO-263AA • Low VCE(sat) - for minimum on-state conduction losses • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • DC choppers • Uninterruptible power supplies

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IXYS

艾赛斯

IXGA8N100

Features • International standard packages JEDEC TO-220AB and TO-263AA • Low VCE(sat) - for minimum on-state conduction losses • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo and robot drives • DC choppers • Uninterruptible power supplies

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IXYS

艾赛斯

QGC Pyroelectric Infrared Gas Sensors, Analog

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KEMETKEMET Corporation

基美