FQH8N100C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，1000 V，8.0 A，1.45 Ω，TO-247数据手册ONSEMI规格书
FQH8N100C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•8A，1000V，RDS(on) = 1.45Ω ,VGS = 10 V
•低栅极电荷（典型值53nC）
•低Crss（典型值16pF）
•快速开关
•100% 经过雪崩击穿测试
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQH8N100C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：1000
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：8
- PD Max (W)
：225
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1450
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：53
- Ciss Typ (pF)
：2475
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
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