FQH8N100C数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQH8N100C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•8A，1000V，RDS(on) = 1.45Ω ,VGS = 10 V
•低栅极电荷（典型值53nC）
•低Crss（典型值16pF）
•快速开关
•100% 经过雪崩击穿测试
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQH8N100C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：1000
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：8
- PD Max (W)
：225
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1450
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：53
- Ciss Typ (pF)
：2475
- Package Type
：TO-247-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
13998 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Fairchild |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-247 |
65428 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SOT23-6 |
32000 |
ONSEMI/安森美全新特价FQH8N100C即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO247 |
1709 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
11+ |
TO-247 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
询价 | ||
FAI |
2018+ |
26976 |
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询价 |
