FQD7P06中文资料功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-60 V,-5.4 A,450 mΩ,DPAK数据手册ONSEMI规格书
FQD7P06规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•-5.4A, -60V, RDS(on)= 450mΩ(最大值)@VGS = -10 V, ID = -2.7A栅极电荷低(典型值:6.3nC)
•低 Crss(典型值25pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• LED 电视
技术参数
- 制造商编号
:FQD7P06
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-60
- VGS Max (V)
:±25
- VGS(th) Max (V)
:-4
- ID Max (A)
:-5.4
- PD Max (W)
:28
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:451
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:6.3
- Ciss Typ (pF)
:225
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FCS |
25+ |
TO-252 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO252 |
9850 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
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30000 |
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FAIRCHILD |
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TO252 |
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TO-252 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-252(DPAK) |
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询价 | |||
ON |
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TO-252 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO-252 |
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