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FQD7P06

60V P-Channel MOSFET

General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

文件:665.24 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQD7P06

P-Channel QFET짰 MOSFET - 60 V, - 5.4 A, 450 m?

文件:543.58 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQD7P06

功率 MOSFET,P 沟道,QFET®,-60 V,-5.4 A,450 mΩ,DPAK

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •-5.4A, -60V, RDS(on)= 450mΩ(最大值)@VGS = -10 V, ID = -2.7A栅极电荷低(典型值:6.3nC)\n•低 Crss(典型值25pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•100% avalanche tested;

ONSEMI

安森美半导体

FQD7P06TF

P-Channel QFET MOSFET - 60 V, - 5.4 A, 450 m

文件:543.58 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FQD7P06TM

P-Channel QFET짰 MOSFET - 60 V, - 5.4 A, 450 m?

文件:543.58 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -60

  • VGS Max (V):

    ±25

  • VGS(th) Max (V):

    -4

  • ID Max (A):

    -5.4

  • PD Max (W):

    28

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    451

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    6.3

  • Ciss Typ (pF):

    225

  • Package Type:

    DPAK-3/TO-252-3

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