FQD6N25中文资料N 沟道 QFET® MOSFET 250V，4.4A，1Ω数据手册ONSEMI规格书
FQD6N25规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•4.4A, 250V, RDS(on)= 1.0Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 2.2A栅极电荷低（典型值：6.6 nC)
•低 Crss（典型值7.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• LED 电视
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQD6N25
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：250
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：4.4
- PD Max (W)
：45
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1000
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：6.6
- Ciss Typ (pF)
：230
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
08+ |
TO-252 |
36 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
D-PAKTO-252 |
30000 |
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FSC |
25+23+ |
TO-252 |
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FAIRCILD |
22+ |
TO-252 |
8000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-252 |
1000 |
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询价 | ||
国产 |
24+ |
TO-252 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-252(DPAK) |
8866 |
询价 |
