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FQD4P25TM_WS中文资料P 沟道，QFET® MOSFET，-250V，-3.1A，2.1Ω数据手册ONSEMI规格书
FQD4P25TM_WS规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•-3.1 A、-250 V、RDS(on) = 2.1Ω ，需 VGS = -10 V
•较低的栅极电荷（典型值为 10 nC）
•较低的 Crss（典型值为 10.3 pF）
•快速开关
•100% 经过雪崩击穿测试
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQD4P25TM_WS
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：-250
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：-5
- ID Max (A)
：-3.1
- PD Max (W)
：45
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2100
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：10.3
- Ciss Typ (pF)
：325
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON Semiconductor Corporation |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
原封装 |
52000 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO-252 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
原封装 |
29823 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
DPAK |
9091 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-252-3 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
Fairchild Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
70000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 |
