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FQD4P25TM_WS数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQD4P25TM_WS

功能描述

P 沟道,QFET® MOSFET,-250V,-3.1A,2.1Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 11:40:00

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FQD4P25TM_WS规格书详情

描述 Description

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

特性 Features

•-3.1 A、-250 V、RDS(on) = 2.1Ω ,需 VGS = -10 V
•较低的栅极电荷(典型值为 10 nC)
•较低的 Crss(典型值为 10.3 pF)
•快速开关
•100% 经过雪崩击穿测试

应用 Application

• 照明

技术参数

  • 制造商编号

    :FQD4P25TM_WS

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-250

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :-5

  • ID Max (A)

    :-3.1

  • PD Max (W)

    :45

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2100

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :10.3

  • Ciss Typ (pF)

    :325

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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