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FQD3N60CTM-WS中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，2.4 A，3.4 Ω，DPAK数据手册ONSEMI规格书
FQD3N60CTM-WS规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•2.4A, 600V, RDS(on)= 3.4Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.2A栅极电荷低（典型值：10.5nC)
•低 Crss（典型值5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQD3N60CTM-WS
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：2.4
- PD Max (W)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：3400
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：10.5
- Ciss Typ (pF)
：435
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
1988 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
1988 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封□□ |
3256 |
原装进口特价供应特价，原装元器件供应，支持开发样品更多详细咨询库存 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
DPAK-3 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-252 |
43200 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 |
