FQD2N80数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQD2N80规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•1.8A, 800V, RDS(on)= 6.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.9A栅极电荷低（典型值：12nC)
•低 Crss（典型值5.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQD2N80
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：1.8
- PD Max (W)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：6300
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12
- Ciss Typ (pF)
：425
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchi |
23+ |
TO-252 |
8650 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
79 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO252 |
162751 |
原装正品现货,可开13个点税 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
TO-252 |
360000 |
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询价 | ||
FQD2N80TM |
13 |
13 |
询价 | ||||
仙童 |
06+ |
TO-252 |
8000 |
原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO252 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ON |
25+ |
TO-252 |
5000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
仙童Fairchild/FSC |
21+ |
TO-252 |
12588 |
原装正品,自己库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
