FQD2N80中文资料N 沟道，QFET® MOSFET，800V，1.8A，6.3Ω数据手册ONSEMI规格书
FQD2N80规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•1.8A, 800V, RDS(on)= 6.3Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.9A栅极电荷低（典型值：12nC)
•低 Crss（典型值5.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQD2N80
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：800
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：1.8
- PD Max (W)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：6300
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12
- Ciss Typ (pF)
：425
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3260 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
79 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
TO-252 |
14822 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON Semiconductor Corporation |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
FAIRCHILD此货绝对好价格 |
24+ |
30000 |
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询价 | |||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO-252 |
21077 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 |
