FQD2N60C数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQD2N60C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•1.9A, 600V, RDS(on)= 4.7Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.95A栅极电荷低（典型值：8.5nC)
•低 Crss（典型值4.3pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQD2N60C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：1.9
- PD Max (W)
：44
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4700
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8.5
- Ciss Typ (pF)
：180
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
100 |
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询价 | ||
FSC |
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SOT252 |
2600 |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
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FSC |
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TO252 |
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Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
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ON/安森美 |
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FAIRCHILD |
1726+ |
TO-252 |
6528 |
只做进口原装正品现货,假一赔十! |
询价 |
