FQD2N60C中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，1.9 A，4.7 Ω，DPAK数据手册ONSEMI规格书
FQD2N60C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•1.9A, 600V, RDS(on)= 4.7Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.95A栅极电荷低（典型值：8.5nC)
•低 Crss（典型值4.3pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQD2N60C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：1.9
- PD Max (W)
：44
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4700
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8.5
- Ciss Typ (pF)
：180
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-252-3 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-252 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
Freescale(飞思卡尔) |
24+ |
32000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | |||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
18+ |
TO252 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO252 |
10880 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 |
