FQD13N10中文资料功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,100 V,10 A,180 mΩ,DPAK数据手册ONSEMI规格书
FQD13N10规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•10A, 100V, RDS(on)= 180mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 5A栅极电荷低(典型值:12nC)
•低 Crss(典型值20pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• LCD 电视
• LED 电视
• 照明
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
:FQD13N10
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:100
- VGS Max (V)
:±25
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:10
- PD Max (W)
:40
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:180
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:12
- Ciss Typ (pF)
:345
- Package Type
:DPAK-3/TO-252-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
17540 |
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询价 | ||
VB |
25+ |
TO252D-PAK |
10000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO252 |
1319 |
询价 | |||
FSC |
24+/25+ |
TO-252 |
1500 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | ||
FSC |
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TO252 |
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FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
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NA |
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FSC |
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TO252 |
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ON |
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TO-252 |
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原装现货假一赔十 |
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