FQB8P10中文资料功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-100 V，-8 A，530 mΩ，D2PAK数据手册ONSEMI规格书
FQB8P10规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•-8.0A, -100V, RDS(on)= 185mΩ（最大值）@VGS = -10 V, ID = -4A栅极电荷低（典型值：12nC)
•低 Crss（典型值30pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•175°C最大结温额定值\"
• 175°C maximum junction temperature rating
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQB8P10
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-100
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-8
- PD Max (W)
：65
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：530
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12
- Ciss Typ (pF)
：360
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
23+ |
TO-263 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
D2-PAK |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
仙童 |
06+ |
TO-263 |
3800 |
原装库存 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
D2-PAKTO-263 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
FAIRC |
23+ |
TO-263(D2PAK) |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ONSEMI |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ON(安森美) |
2447 |
D2-PAK |
105000 |
800个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-2632L(D2PAK) |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
