100V P-Channel MOSFET

General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs

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Fairchild

仙童半导体

P-Channel QFET짰 MOSFET -100 V, -8.0 A, 185 m廓

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Fairchild

仙童半导体

功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-100 V，-8 A，530 mΩ，D2PAK

该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。 •-8.0A, -100V, RDS(on)= 185mΩ（最大值）@VGS = -10 V, ID = -4A栅极电荷低（典型值：12nC)\n•低 Crss（典型值30pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•175°C最大结温额定值\"\n• 175°C maximum junction temperature rating;

ONSEMI

安森美半导体

P-Channel QFET짰 MOSFET -100 V, -8.0 A, 185 m廓

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仙童半导体