首页>FQB6N80>规格书详情

FQB6N80数据手册ONSEMI中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

FQB6N80

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,800 V,5.8 A,1.95 Ω,D2PAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-7 20:00:00

人工找货

FQB6N80价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FQB6N80规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

特性 Features

•5.8A, 800V, RDS(on)= 1.95Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 2.9A栅极电荷低(典型值:31nC)
•低 Crss(典型值14pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant

应用 Application

• 照明

技术参数

  • 制造商编号

    :FQB6N80

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :800

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :5.8

  • PD Max (W)

    :158

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1950

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :31

  • Ciss Typ (pF)

    :1150

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
15250
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-2632L(D2PAK)
18500
原装正品,假一罚十!
询价
FAIRCHILD/仙童
20+
TO-2632L(D2PAK)
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
FAIRCHILD/仙童
21+
TO263
1709
询价
FAIRCHILD
14+
TO-263
2
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
Fairchild(飞兆/仙童)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
ON
25+
TO-263
5000
原厂原装,价格优势
询价
ON/安森美
24+
TO-263-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
ON/安森美
24+
TO-263
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价