FQB8N60C中文资料N 沟道 QFET® MOSFET 600V，7.5A，1.2Ω数据手册ONSEMI规格书
FQB8N60C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•7.5A, 600V, RDS(on)= 1.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 3.75A栅极电荷低（典型值：28nC)
•低 Crss（典型值12pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
• 100% Avalanche Tested
• RoHS Compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQB8N60C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：7.5
- PD Max (W)
：147
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1200
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：28
- Ciss Typ (pF)
：965
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
SOT-263 |
9595 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-263 |
794 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
NA |
275000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
询价 | |||
仙童正品 |
23+ |
TO-220F |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
TO-263 |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
仙童 |
06+ |
TO-263 |
3800 |
原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
11+PBF |
TO-263 |
50 |
普通 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
8364 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
17+ROHS |
TO-263 |
12238 |
原装正品现货,可开发票,假一赔十 |
询价 |
