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FQD12N20L数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQD12N20L

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,200 V,9.0 A,280 mΩ,DPAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 11:04:00

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FQD12N20L规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

特性 Features

•9A, 200V, RDS(on)= 280mΩ(最大值)@VGS = 10 V, ID = 4.5A栅极电荷低(典型值:16nC)
•低 Crss(典型值17pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•低电平栅极驱动要求允许从逻辑驱动器直接运行
•Low level gate drive requirement allowing direct oprationfrom logic drivers

应用 Application

• LED 电视
• CRT/RPTV
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机

技术参数

  • 制造商编号

    :FQD12N20L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :200

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :9

  • PD Max (W)

    :55

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :320

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :280

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :16

  • Ciss Typ (pF)

    :830

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

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