FQD12N20L中文资料功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，9.0 A，280 mΩ，DPAK数据手册ONSEMI规格书
FQD12N20L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•9A, 200V, RDS(on)= 280mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4.5A栅极电荷低（典型值：16nC)
•低 Crss（典型值17pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•低电平栅极驱动要求允许从逻辑驱动器直接运行
•Low level gate drive requirement allowing direct oprationfrom logic drivers
应用 Application
• LED 电视
• CRT/RPTV
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• 工作站
• 服务器和大型机
技术参数
- 制造商编号
：FQD12N20L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：9
- PD Max (W)
：55
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：320
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：280
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：16
- Ciss Typ (pF)
：830
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
23310 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-2523L(DPAK) |
22800 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO252 |
9493 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
14+ |
DPAK |
3 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHIL |
2025+ |
TO-252-2 |
5425 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
原厂原封 |
6523 |
进口原装公司百分百现货可出样品 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
2500 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-252 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 |
