FQB9P25中文资料P 沟道 QFET® MOSFET -250 V,-9.4 A,620 mΩ数据手册ONSEMI规格书
FQB9P25规格书详情
描述 Description
这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越开关性能,以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关 DC/DC 转换器。
特性 Features
•-9.4 A、-250 V、RDS(on) = 620 mΩ(最大值)@ VGS = -10 V、ID = -4.7 A
•低栅极电荷(典型值 29 nC)
•低 Crss(典型值 27 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
技术参数
- 制造商编号
:FQB9P25
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-250
- VGS Max (V)
:-5
- VGS(th) Max (V)
:-5
- ID Max (A)
:-9.4
- PD Max (W)
:120
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:620
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:29
- Ciss Typ (pF)
:910
- Package Type
:D2PAK-3/TO-263-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
TO-263 |
130 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
TO-263 |
365 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-263 |
28000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-220F |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
F |
25+23+ |
TO263 |
73530 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
TO-263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 |