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FQB9P25中文资料P 沟道 QFET® MOSFET -250 V,-9.4 A,620 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FQB9P25

功能描述

P 沟道 QFET® MOSFET -250 V,-9.4 A,620 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:34:00

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FQB9P25规格书详情

描述 Description

这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形 DMOS 技术生产。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻,提供卓越开关性能,以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关 DC/DC 转换器。

特性 Features

•-9.4 A、-250 V、RDS(on) = 620 mΩ(最大值)@ VGS = -10 V、ID = -4.7 A
•低栅极电荷(典型值 29 nC)
•低 Crss(典型值 27 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试

技术参数

  • 制造商编号

    :FQB9P25

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-250

  • VGS Max (V)

    :-5

  • VGS(th) Max (V)

    :-5

  • ID Max (A)

    :-9.4

  • PD Max (W)

    :120

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :620

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :29

  • Ciss Typ (pF)

    :910

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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