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FQB7N60数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQB7N60

功能描述

N 沟道 QFET® MOSFET 600V,7.4A,1Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 9:50:00

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FQB7N60规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及照明灯电子镇流器。

特性 Features

•7.4A, 600V, RDS(on)= 1.0Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 3.7A栅极电荷低(典型值:29nC)
•低 Crss(典型值16pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested

应用 Application

• 照明

技术参数

  • 制造商编号

    :FQB7N60

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :600

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :7.4

  • PD Max (W)

    :142

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1000

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :29

  • Ciss Typ (pF)

    :1100

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

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