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FQB7N60	文件：294.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=57A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.023Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQB7N60	文件：591.64 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenerg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQP7N60	文件：124.93 Kbytes Page：9 Pages	TheUseofQFETsinaFlybackConverter Introduction Powersupplydesignersfacemanychallengesindesigningmoreefficientandcost-effectivepowersupplies.Efficiencyisamajorconsiderationindesigningswitchingpowersupplies.Manyfactorsinthedesignprocesssuchastheinputfiltercapacitance,transformercoregeometryand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FQB7N60
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
600V N-Channel MOSFET

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