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FQB7N60TMWS	文件：771.24 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI7N60	文件：591.64 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenerg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQP7N60	文件：124.93 Kbytes Page：9 Pages	TheUseofQFETsinaFlybackConverter Introduction Powersupplydesignersfacemanychallengesindesigningmoreefficientandcost-effectivepowersupplies.Efficiencyisamajorconsiderationindesigningswitchingpowersupplies.Manyfactorsinthedesignprocesssuchastheinputfiltercapacitance,transformercoregeometryand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQPF7N60	文件：780.44 Kbytes Page：7 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingCoriseSemiconductorÿsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperform	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FQPF7N60	文件：278.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
FQB7N60TMWS
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
N-Channel QFET?? MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 ??

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