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FQB7N80	文件：802.07 Kbytes Page：9 Pages	800V N-Channel MOSFET Features •6.6A,800V,RDS(on)=1.5Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical40nC) •LowCrss(typical19pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQI7N80	文件：842.57 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET Features •6.6A,800V,RDS(on)=1.5Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical40nC) •LowCrss(typical19pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQP7N80	文件：785.26 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP7N80C	文件：848.27 Kbytes Page：10 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP7N80C	文件：1.94995 Mbytes Page：8 Pages	6.6A,800VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription planarstripe,DMOStechnology.Thislatesttechnologyhasbeenespeciallydesignedtominimizeon-stateresistance,havealowgatechargewithsuperiorswitchingperformance,andruggedavalanchecharacteristics.ThisPowerMOSFETiswellsuitedforsynchronousDC-DCConvert	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
FQP7N80C	文件：297.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.9Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQPF7N80	文件：792.94 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FQPF7N80C	文件：848.27 Kbytes Page：10 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FQB7N80
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
800V N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQB7N80供应商更新时间2025-7-13 16:30:00

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