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FQD10N20CTM	文件：1.28335 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 mOhm GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features •7.8A,200V,RDS(on)=360mΩ(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A •LowGateCharge(Typ.20nC) •LowCrss(Typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
10N20	文件：1.6556 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
10N20C	文件：875.37 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology. ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
EC-10N20	文件：227.54 Kbytes Page：3 Pages	HIGHPOWER125WHIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS [EXICON] NANDPCHANNELLAERALMOSFETS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
ECX10N20	文件：400.4 Kbytes Page：4 Pages	NCHANNELLATERALMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
FDD10N20LZ	文件：615.61 Kbytes Page：8 Pages	UninterruptiblePowerSupply Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitablef	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD10N20LZ	文件：358.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDD10N20LZTM	文件：615.61 Kbytes Page：8 Pages	UninterruptiblePowerSupply Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor’shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength.Thisdevicefamilyissuitablef	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FLX10N20	文件：109.45 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltagePowerSupplies	TDKTDK Corporation 东电化（中国）投资有限公司
FQ10N20	文件：788.66 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB10N20	文件：794.12 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB10N20C	文件：608.81 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB10N20C	文件：333.71 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=9.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQB10N20L	文件：333.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQB10N20L	文件：574.04 Kbytes Page：9 Pages	200VLOGICN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD10N20	文件：787.25 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features •7.8A,200V,RDS(on)=0.36Ω(Max.)@VGS=10V •LowGateCharge(Typ.13.5nC) •LowCrss(Typ.13pF)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD10N20	文件：576.23 Kbytes Page：9 Pages	200VLOGICN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD10N20	文件：305.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQD10N20C	文件：347.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQD10N20C	文件：549.66 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features •7.8A,200V,RDS(on)=360mΩ(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A •LowGateCharge(Typ.20nC) •LowCrss(Typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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详细参数

型号：
FQD10N20CTM
功能描述：
MOSFET N-CH/200V/10A/QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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