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  • FQD10N20CTM

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  • N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 mOhm

  • FairchildFairchild Semiconductor

    仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

  • Fairchild
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    Page:9Pages

  • 200V LOGIC N-Channel MOSFET

  • FairchildFairchild Semiconductor

    仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

  • Fairchild
  • 7
  • 文件:1283Kbytes

    Page:9Pages

  • N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.8 A, 360 mOhm

  • FairchildFairchild Semiconductor

    仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

  • Fairchild
  • 8
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    Page:2Pages

  • isc N-Channel MOSFET Transistor

  • ISCInchange Semiconductor Company Limited

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • ISC
  • 9
  • 文件:766Kbytes

    Page:8Pages

  • N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.6 A, 360 m

  • FairchildFairchild Semiconductor

    仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

  • Fairchild
  • 11
  • 文件:1010Kbytes

    Page:7Pages

  • N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

  • VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

    微碧微碧半导体(台湾)有限公司

  • VBSEMI
  • 14
  • 文件:766Kbytes

    Page:8Pages

  • N-Channel QFET MOSFET 200 V, 7.6 A, 360 m

  • FairchildFairchild Semiconductor

    仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

  • Fairchild
  • 18
  • 文件:1656Kbytes

    Page:7Pages

  • N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

  • VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

    微碧微碧半导体(台湾)有限公司

  • VBSEMI
  • 19
  • 文件:227.54Kbytes

    Page:3Pages

  • HIGH POWER 125W HIGH QUALITY AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS

  • ETC1List of Unclassifed Manufacturers

    ETC1

  • ETC1
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  • 备注
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更多供应商 更新时间:2022-12-3 14:00:10

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FQD10N20CTM

  • 功能描述

    MOSFET N-CH/200V/10A/QFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

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