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FQD3P50TM_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	500V P-Channel MOSFET; • - 2.1A，-500V，RDS(on) = 4.9Ω @VGS = -10 V\n•低栅极电荷（典型值18 nC）\n•低Crss（典型值9.5pF）\n•快速开关\n•100%经过雪崩测试\n•可提高dv/dt处理能力\n•符合AEC Q101\n•符合RoHS标准\n; 这些P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件非常适合基于互补半桥的电子灯镇流器。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FQD5N50C	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD TO252	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司相关企业：深圳市金柏信电子有限公司	Fairchild
FQD7P20TM	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD TO-252	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司相关企业：富凯科技(深圳）有限公司	Fairchild
FQD7P20TM	文件：0 bytes Page：0 Pages	ON TO-252	ON ON 相关企业：深圳市云中傲科技有限公司	ON
FQP10N20C	文件：0 bytes Page：0 Pages	FAIRCHILD TO-220	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司相关企业：深圳市金柏信电子有限公司	Fairchild

更多FQD3P50TM_F085供应商更新时间2025-7-30 11:08:00