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FQD7N10LTM	文件：539.37 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand hi 文件：539.37 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD7N10LTM	文件：1.26409 Mbytes Page：6 Pages	丝印：FQD7N10；Package：TO-252；100V N-Channel MOSFET Features • RDS(ON) (at VGS=10V) 文件：1.26409 Mbytes 页数：6 Pages	UMW 友台半导体	UMW
FQD7N10LTM	文件：1.21472 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON) 文件：1.21472 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
FQD7N10TM	文件：595.38 Kbytes Page：9 Pages	100V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand h 文件：595.38 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD7N10TM	文件：1.43587 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON) 文件：1.43587 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
FQI7N10	文件：548.34 Kbytes Page：9 Pages	100V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand h 文件：548.34 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
FQD7N10LTM
功能描述：
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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