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FQD7N10LTM中文资料PDF规格书

FQD7N10LTM
厂商型号

FQD7N10LTM

功能描述

100V N-Channel MOSFET

文件大小

1.26409 Mbytes

页面数量

6

生产厂商 UMW
企业简称

UMW友台

中文名称

友台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-3 23:00:00

FQD7N10LTM规格书详情

Features

• RDS(ON) (at VGS=10V) < 350mΩ

• ID(at VGS=10V)2.9A

• Low Gate Charge (Typ. 4.6 nC)

• Low Crss (Typ. 12 pF)

• VDS =100V

产品属性

  • 型号:

    FQD7N10LTM

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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