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FQD5P10TM	文件：527.6 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel QFET MOSFET -100 V, -3.6 A, 1.05?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB5P10	文件：655.1 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB5P10	文件：680.98 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB5P10TM	文件：680.98 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD5P10	文件：648.66 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbl. Features •-3.6A,-100V,RDS(on)=1.05Ω@VGS=-10V •Lowgatecharge(typical6.3nC) •LowCrs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD5P10	文件：527.6 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-100V,-3.6A,1.05?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD5P10TF	文件：527.6 Kbytes Page：8 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-100V,-3.6A,1.05?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI5P10	文件：680.98 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQI5P10	文件：655.1 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP5P10	文件：646.39 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQPF5P10	文件：661.24 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQT5P10	文件：668.65 Kbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQT5P10	文件：1.82344 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
FQT5P10TF	文件：1.04314 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
FQT5P10TF	文件：1.07086 Mbytes Page：8 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-100V,-1.0A,1.05廓 Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQU5P10	文件：648.66 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbl. Features •-3.6A,-100V,RDS(on)=1.05Ω@VGS=-10V •Lowgatecharge(typical6.3nC) •LowCrs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
KQD5P10	文件：63.66 Kbytes Page：2 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
KSMU5P10	文件：649.52 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.
PJD5P10A	文件：391.23 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司
SS5P10	文件：96.76 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMount	VishayVishay Siliconix 威世科技

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详细参数

型号：
FQD5P10TM
功能描述：
MOSFET 100V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	FQD5P10TM	FAIRCHILD/仙童	2019+全新原装正品	TO252	8950	BOM配单专家,发货快,价格低	询价
深圳市明盛嘉电子科技有限公司	FQD5P10TM	FAIRCHILD/仙童	21+	TO252	50000	原装现货/假一赔十/支持第三方检验	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQD5P10TM	onsemi	23+	TO-252AA	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市金芯阳科技有限公司	FQD5P10TM	FSC	15+	原厂原装	5000	进口原装现货假一赔十	询价
深圳市珩瑞科技有限公司	FQD5P10TM	FAIRCHILD/仙童	21+		6000	原装正品	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	FQD5P10TM	ON/安森美	22+	TO252	3000	原装正品	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	FQD5P10TM	onsemi(安森美)	23+	TO-252	9555	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	FQD5P10TM	FAIRCHILD	2017+	TO252	32568	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	FQD5P10TM	DISCRETE	2500	FSC	5000		询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	FQD5P10TM	FAIRCHI	2020+	TO252	2168	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价

更多FQD5P10TM供应商更新时间2024-4-26 16:36:00

详细参数

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