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FQD7P20TM	文件：788.43 Kbytes Page：6 Pages	P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= -200V, ID= -3.6A RDS(ON) 文件：788.43 Kbytes 页数：6 Pages	BYCHIP 百域芯	BYCHIP
FQI7P20	文件：713.82 Kbytes Page：9 Pages	200V P-Channel MOSFET 200V P-Channel MOSFET 文件：713.82 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQP7P20	文件：698.43 Kbytes Page：8 Pages	200V P-Channel MOSFET 文件：698.43 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQPF7P20	文件：726.66 Kbytes Page：8 Pages	200V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：726.66 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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