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FQD19N10TM	文件：1.41412 Mbytes Page：4 Pages	N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON) 文件：1.41412 Mbytes 页数：4 Pages	Bychip 百域芯	Bychip
FQI19N10	文件：575.39 Kbytes Page：9 Pages	100V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：575.39 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
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详细参数

型号：
FQD19N10TM
功能描述：
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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