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FQD1N60CTM	文件：557.93 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 600 V, 1.0 A, 11.5 廓 Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：557.93 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQD1N60TM	文件：549.28 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：549.28 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQI1N60	文件：545.42 Kbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：545.42 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FQN1N60C	文件：677.13 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：677.13 Kbytes 页数：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

详细参数

型号：
FQD1N60CTM
功能描述：
MOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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