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FQD2N80TM	文件：731.24 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET MOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
2N80	文件：170.28 Kbytes Page：6 Pages	2Amps,800VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N80	文件：68.07 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=2.4A@TC=25C	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2N80	文件：235.68 Kbytes Page：6 Pages	2A,800VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N80G-TND-R	文件：263.34 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N80L-TND-R	文件：263.34 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N80Z	文件：235.72 Kbytes Page：6 Pages	2A,800VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司
2N80Z	文件：1.29132 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
FIR2N80BPG	文件：3.5367 Mbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR2N80FG	文件：2.08555 Mbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR2N80LG	文件：3.5367 Mbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET-T	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FKPF2N80	文件：136.07 Kbytes Page：7 Pages	ApplicationExplanation(Switchingmodepowersupply,lightdimmer,electricflasherunit,hairdrier)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQB2N80	文件：659.15 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD2N80	文件：639 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD2N80	文件：731.24 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQD2N80D	文件：336.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·Drain-sourceon-resistance: RDS(on)≤6.3Ω@10V ·FastSwitchingSpeed ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·HighfastswitchingPowerSupply	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQD2N80I	文件：348.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·Drain-sourceon-resistance: RDS(on)≤6.3Ω@10V ·FastSwitchingSpeed ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·HighfastswitchingPowerSupply	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FQI2N80	文件：659.15 Kbytes Page：9 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP2N80	文件：649.95 Kbytes Page：8 Pages	800VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FQP2N80	文件：302.73 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=6.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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详细参数

型号：
FQD2N80TM
功能描述：
MOSFET 800V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FQD2N80TM	onsemi	23+	TO-252AA	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	FQD2N80TM	FAIRCHILD	18+	TO-252	9800	一级代理/全新原装现货/长期供应!	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	FQD2N80TM	FAIRCHILD/仙童	22+	TO-252	30000	只做原装进口免费送样!!	询价
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深圳市高捷芯城科技有限公司	FQD2N80TM	ON/安森美	23+	TO252	24548	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
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更多FQD2N80TM供应商更新时间2024-4-28 11:20:00

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