FQB9N50C数据手册ONSEMI中文资料规格书
FQB9N50C规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•9A, 500V, RDS(on)= 800mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 4.5A栅极电荷低（典型值：28nC)
•低 Crss（典型值24pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQB9N50C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：500
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：9
- PD Max (W)
：135
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：800
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：28
- Ciss Typ (pF)
：790
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
13+ |
TO263 |
37 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO263 |
1709 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
VB |
25+ |
DPAK |
5000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
1822+ |
TO-263 |
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询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
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原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
FAIRC |
2023+ |
TO-263(D2PAK |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-263 |
2532 |
原厂原装正品 |
询价 |
