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FQD12N20数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FQD12N20

功能描述

功率 MOSFET,N 沟道,QFET®,200 V,9.0 A,280 mΩ,DPAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 17:11:00

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FQD12N20规格书详情

描述 Description

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)及电子镇流器。.

特性 Features

•9.0A, 200V, RDS(on) = 0.28Ω @VGS = 10 V
•低栅极电荷(典型值18 nC)
•低Crss(典型值18pF)
•快速开关
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能

应用 Application

• LED 电视
• CRT/RPTV

技术参数

  • 制造商编号

    :FQD12N20

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :200

  • VGS Max (V)

    :±30

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :9

  • PD Max (W)

    :55

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :280

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :18

  • Ciss Typ (pF)

    :700

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存
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