FQD11P06中文资料功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-60 V，-9.4 A，185 mΩ，DPAK数据手册ONSEMI规格书
FQD11P06规格书详情
描述 Description
该 P 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•-9.4A, -60V, RDS(on)= 185mΩ（最大值）@VGS = -10 V, ID = -4.7A栅极电荷低（典型值：13nC)
•低 Crss（典型值45pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• LCD 电视
• LED 电视
技术参数
- 制造商编号
：FQD11P06
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-60
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：-4
- ID Max (A)
：-9.4
- PD Max (W)
：38
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：185
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：13
- Ciss Typ (pF)
：420
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
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|---|---|---|---|---|---|---|---|
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