FQD10N20L中文资料功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，7.6 A，380 mΩ，DPAK数据手册ONSEMI规格书
FQD10N20L规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•7.6A, 200V, RDS(on)= 360mΩ @VGS = 10 V, ID = 3.8A
•低栅极电荷（典型值13nC)
•低 Crss（典型值14pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•低电平栅极驱动要求允许直接从逻辑驱动器进行操作
应用 Application
• LED 电视
• CRT/RPTV
技术参数
- 制造商编号
：FQD10N20L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：200
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：2
- ID Max (A)
：7.6
- PD Max (W)
：51
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：380
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：360
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：13
- Ciss Typ (pF)
：640
- Package Type
：DPAK-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-252 |
30000 |
只做正品原装现货 |
询价 | ||
ON |
23+ |
SOT252 |
10000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO252 |
12245 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
ONN |
2405+ |
原厂封装 |
2480 |
只做原装优势现货库存 渠道可追溯 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-252 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
VBSEMI台湾微碧 |
23+ |
TO-252 |
22820 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
FAIRCILD |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 |
