FQD19N10中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，100 V，15.6 A，63 mΩ，DPAK数据手册ONSEMI规格书
FQD19N10规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•15.6A, 100V, RDS(on)= 63mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 7.8A栅极电荷低（典型值：19nC)
•低 Crss（典型值32pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• LCD 电视
• PDP电视
• LED 电视
技术参数
- 制造商编号
：FQD19N10
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：15.6
- PD Max (W)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：100
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：19
- Ciss Typ (pF)
：600
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
20 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO252 |
1709 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
25+ |
DIP40 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
14+ |
TO252 |
6 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
Fairchild |
24+ |
TO-252 |
1000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
45000 |
FAIRCHILD/仙童全新现货FQD19N10即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
TO-252 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 |
