选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)TO-263 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-263(D2PAK) |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO263 |
710 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
922 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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FAIRCTO-263(D2PAK) |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ONTO-263 |
200 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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FAIRCILDTO-263 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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FAIRCHILDTO-263(D2PAK) |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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FAIRCTO-263(D2PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCTO-263(D2PAK) |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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FAIRCTO-263(D2PAK) |
7300 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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FAIRCHILDTO-263 |
200 |
21+ |
全新原装 实单必成 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FD2-PAK |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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FAIRCHILDTO-263 |
100 |
01+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO-263 |
11000 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263 |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
FQB9N50采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
FQB9N50图片
FQB9N50CTM价格
FQB9N50CTM价格:¥3.4973品牌:FAIRCHILD
生产厂家品牌为FAIRCHILD的FQB9N50CTM多少钱,想知道FQB9N50CTM价格是多少?参考价:¥3.4973。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FQB9N50CTM批发价格及采购报价,FQB9N50CTM销售排行榜及行情走势,FQB9N50CTM报价。
FQB9N50中文资料Alldatasheet PDF
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FQB9N50CFTM功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQB9N50CFTM_WS功能描述:MOSFET 500V 9A N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQB9N50CTM功能描述:MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQB9N50TM功能描述:MOSFET 500V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube