FQD30N06中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 60 V，22.7 A，45 mΩ，DPAK数据手册ONSEMI规格书
FQD30N06规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
特性 Features
•22.7A, 60V, RDS(on)= 45mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 11.4A栅极电荷低（典型值：19nC)
•低 Crss（典型值40pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•100% avalanche tested
应用 Application
• 其他工业
技术参数
- 制造商编号
：FQD30N06
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：22.7
- PD Max (W)
：44
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：45
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：19
- Ciss Typ (pF)
：725
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCILD |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+ |
TO-252 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO252 |
10000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-252(DPAK) |
8866 |
询价 | |||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
20300 |
ONSEMI/安森美原装特价FQD30N06即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
VBsemi |
24+ |
TO252 |
9000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
D-PAKTO-252 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
17+ |
NA |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 |
