| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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ONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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12年
留言
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ONTO252 |
22000 |
26+ |
有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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1年
留言
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ON25+ |
60000 |
25+ |
NA |
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13年
留言
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ONSEMI/安森美TO-252 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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18年
留言
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ONSEMINA |
10000 |
25+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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7年
留言
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ON/安森美TO252 |
13816 |
24+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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12年
留言
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ON(安森美)D-PAK |
13464 |
26+ |
公司只做原装正品,假一赔十 |
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4年
留言
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ON(安森美)D-PAK |
4575 |
2511 |
电子元器件采购降本 30%!公司原厂直采,砍掉中间差价 |
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16年
留言
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FAIRCHILDTO-2523L(DPAK) |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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13年
留言
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Fairchild(飞兆/仙童)NA |
20094 |
26+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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16年
留言
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Fairchild |
51691 |
26+23+ |
绝对原装正品现货 全新深圳原装进口现货 |
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1年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
5800 |
2021+ |
原装现货,欢迎来电咨询 |
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17年
留言
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FAIRCHILDTO-252(DPAK) |
8866 |
24+ |
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1年
留言
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VBsemi/台湾微碧DPAK |
5116 |
26+ |
原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单 |
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10年
留言
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FCSTO263-5 |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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7年
留言
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ON-安森美TO-252-3 |
83500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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7年
留言
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VBSEMI-微碧车规-场效应管 |
143788 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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10年
留言
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FCSTO263-5 |
86720 |
26+ |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
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12年
留言
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VBsemiTO252 |
9000 |
25+ |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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19年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
2391 |
14+ |
全新 发货1-2天 |
FQD30N06采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
FQD30N06图片
FQD30N06TM价格
FQD30N06TM价格:¥3.6492品牌:Fairchild Semiconductor
生产厂家品牌为Fairchild Semiconductor的FQD30N06TM多少钱,想知道FQD30N06TM价格是多少?参考价:¥3.6492。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,FQD30N06TM批发价格及采购报价,FQD30N06TM销售排行榜及行情走势,FQD30N06TM报价。
FQD30N06中文资料Alldatasheet PDF
更多FQD30N06制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET
FQD30N06_09制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel MOSFET
FQD30N06L制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQD30N06LTF功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQD30N06LTM功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQD30N06TF功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQD30N06TF_F080功能描述:MOSFET Trans MOS N-Ch 60V 22.7A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQD30N06TM功能描述:MOSFET 60V N-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube


























