FQD2N90中文资料功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，1.7 A，7.2 Ω，DPAK数据手册ONSEMI规格书
FQD2N90规格书详情
描述 Description
该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
特性 Features
•1.7A, 900V, RDS(on)= 7.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.85A栅极电荷低（典型值：12nC)
•低 Crss（典型值5.5pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• 照明
技术参数
- 制造商编号
：FQD2N90
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：900
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：1.7
- PD Max (W)
：50
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7200
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：12
- Ciss Typ (pF)
：390
- Package Type
：DPAK-3/TO-252-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCILD |
22+ |
TO-252 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHIL |
0629+ |
TO252 |
27 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252(DPAK) |
32322 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022+ |
SOT-252 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
FAIRCHIL |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25 |
6000 |
原装正品 |
询价 | |||
FAIRCHI |
25+ |
TO-252 |
104 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
D-PAKTO-252 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR |
1216 |
99 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 |
