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FQD2N90	文件：750.31 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：750.31 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD2N90	文件：1.29789 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.29789 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD2N90	文件：305.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=1.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =7.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：305.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FQD2N90	文件：1.29789 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 900 V, 1.7 A, 7.2 廓文件：1.29789 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD2N90	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，1.7 A，7.2 Ω，DPAK 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •1.7A, 900V, RDS(on)= 7.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 0.85A栅极电荷低（典型值：12nC)\n•低 Crss（典型值5.5pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FQD2N90TM	文件：1.29789 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.29789 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD2N90_09	文件：847.5 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：847.5 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD2N90TF	文件：1.29789 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 900 V, 1.7 A, 7.2 廓文件：1.29789 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
900
VGS Max (V)：
±30
VGS(th) Max (V)：
5
ID Max (A)：
1.7
PD Max (W)：
50
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
7200
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
12
Ciss Typ (pF)：
390
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQD2N90供应商更新时间2026-1-20 16:30:00

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