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FQD2N90TF	文件：1.29789 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET 900 V, 1.7 A, 7.2 廓文件：1.29789 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQD2N90TM	文件：1.29789 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel QFET짰 MOSFET Description This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high av 文件：1.29789 Mbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQI2N90	文件：759.72 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET Features • 2.2 A, 900V, RDS(on) = 7.2 Ω @VGS = 10 V • Low gate charge ( typical 12 nC) • Low Crss ( typical 5.5 pF) • Fast switching • 100 avalanche tested • Improved dv/dt capability 文件：759.72 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FQI2N90	文件：765.33 Kbytes Page：9 Pages	900V N-Channel MOSFET 文件：765.33 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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