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3N60	文件：162.16 Kbytes Page：8 Pages	3Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC3N60isahighvoltageandhighcurrentpowerMOSFET,designedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapp	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N60	文件：363.66 Kbytes Page：8 Pages	3Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
3N60	文件：442.29 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
FQI3N60	文件：581.81 Kbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP3N60	文件：569.57 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenerg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQP3N60C	文件：738.4 Kbytes Page：8 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FQD3N60TM
功能描述：
MOSFET 600V N-Ch QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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