200V LOGIC N-Channel MOSFET

General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Features • 3.8A, 200V, RDS(on)= 1.2Ω@VGS= 10 V • Low gate charge ( typical 4.8 nC) • Low Crss ( typical 6.0 pF) • Fast

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FAIRCHILD

仙童半导体

丝印：TPM2006NHK3；Package：TO-252-3L；‘N-Channel MOSFET 200V, 6.04, 0.65Q

Features © Vos =200v + o= 60A + Rosin 50650 @Ves = 10V.

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TECHPUBLIC

台舟电子

200V LOGIC N-Channel MOSFET

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FAIRCHILD

仙童半导体

N-Channel QFET MOSFET 200 V, 3.8 A, 1.2

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FAIRCHILD

仙童半导体

功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，3.8 A，1.2 Ω，DPAK

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。 •3.8A, 200V, RDS(on)= 1.2Ω（最大值）@VGS = 10 V, ID = 1.9A栅极电荷低（典型值：4.8 nC)\n•低 Crss（典型值6pF)\n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n•RoHS compliant;

ONSEMI

安森美半导体